中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝 SiC MOSFET
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
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東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、空間和功耗節省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現狀，該 FET 專為要求苛刻的系統而設計，從數據中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
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瑞薩電子 功率 FET GaN 千瓦級
拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
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第三代半導體 GaN 拓墣產業研究院 SiC
隨著人工智能（AI）快速發展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產品與技術，通過雙方合作加速創新型碳化硅（SiC）解決方案、節能產品及系統的開發，助力構建更可持續的未來。Microchip負責高功
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鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩壓直流母線可將各個基本模塊互聯起來。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
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德州儀器 GaN FET 單相串式逆變器 微型逆變器 儲能系統
NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
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瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅動器 IC 產品線集成后對 GaN 技術的持續投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質因數提高了 50%，而輸出品質因數提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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650V GaN 器件 高功率應用 SiC
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
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EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
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GaN FET 衛星電源
6月25日，香港特區政府創新科技局轄下創新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產業加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
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香港 8英寸 SiC 晶圓廠
在減少排放和實現凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續發展應用中發揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統中添加電力電子器件（例如電機驅動器）或增強現有系統中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸到故障負載的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統電路
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SiC 熔絲保護
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
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